等离子体增强原子层沉积PEALDAT650P（等离子体增强）/ AT650T（热型）AT650T可在用户现场升级为AT650P

型号：AT650P/850P(等离子体增强型）      AT650T/850T（热型）

AT650T/850T可在用户现场升级为AT650P/850P

技术参数：

·小型桌面等离子体型 

·基体温度高达400℃ 

·具有空心阴极源

       更快生长速率

       更高电子密度

       更低等离子体损伤

       更少氧气污染 

·配置高频率射频的空心等离子体 

·以热型ALD成本提供经济实惠的等离子体系统 

·3种有机金属源(可加热至185℃),1个常温源(可升级至185℃)和最多4种氧化剂/还原剂源

·耐高温的快速脉冲ALD阀门，配备超快MFC进行集成惰性气体吹扫-标配 

·高达6英寸或8英寸的基板，并可提供定制卡盘/底座

·静态反应模式下可实现高覆盖

可供选项：

·定制卡盘/底座 

·QCM(石英晶体微天平) 

·为您的瓶子设计起泡器 

·负载锁(或手套箱接口) 

·共反应物线(MFC控制)(最多可增加2条) 

·额外升级前驱体加热管线至185℃,共4条

   咨询可定制系统

客户案例：

全球100多家用户，多家重复购买的用户：

哈佛大学

赫尔辛基大学（Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen）

泛林集团 (LAM) （3台以上）

牛津大学（2台以上， Prof Sebastian Bonilla）

国立材料科学研究所(日本，多台)

东京大学(多台)

早稻田大学(多台)

西北大学(美国)

剑桥大学(英国)

莱斯大学

英属哥伦比亚大学(加拿大)

ENS-Paris(法国、高等师范学院)

北京量子研究院

北京大学

布里斯托大学（英国）

谢菲尔德大学等等

重复购买客户的具体运用：

1.  早稻田大学 (Waseda University) (日本东京) - 传感器、表面改性、纳米压印光刻、优良通孔制造 (AIST) – 日本茨城县

2.  早稻田大学 (Waseda University) (日本东京) – 系统 #2；类似应用。日本神奈川县横滨国立大学 (Yokohama National University)

13. 国立材料科学研究所 (NIMS) #1 (日本茨城县) - 表面和薄膜中的声子；原子尺度低维等离激元学；纳米材料中的自旋轨道分裂

14. 国立材料科学研究所 (NIMS) #2 (日本茨城县) - 碳纳米管中的自旋相关输运；纳米间隙制造和分子输运；石墨烯中的带隙工程；有机晶体管

21. 私人公司 (Private Company) (美国俄勒冈州波特兰) - TEM 样品制备；HfO2, Al2O3, Ta2O5

22. Precision TEM (美国加利福尼亚州圣克拉拉) - TEM 样品制备；HfO2, Al2O3

43. 私人公司 TK (Private Company TK) (日本宫城县) - TEM 样品制备

44. 私人公司 (Private Company) (美国俄勒冈州波特兰) - TEM 样品制备；HfO2, Al2O3, Ta2O5

45. 东京大学 (University of Tokyo) (日本) – 优良 ALD 工艺

93. 东京大学 (University of Tokyo) – 日本东京 – Dr. Onaya

91. 泛林集团 (LAM Research) – 美国俄勒冈州图瓦拉丁 (Tualatin)

97. 泛林集团 (LAM) 系统 #2 – 美国俄勒冈州图瓦拉丁

98. 泛林集团 (LAM) 系统 #3 – 美国俄勒冈州图瓦拉丁

99. 牛津大学 (University of Oxford) – 英国牛津 - Prof Sebastian Bonilla

100. 德岛大学 (Tokushima University) (日本)

101. 赫尔辛基大学 (University of Helsinki) (芬兰) Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

102. 应用材料公司 (AMAT - Applied Materials) – 美国

103. 牛津大学 (University of Oxford) (英国牛津)