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  • 深度解微纳3D打印机实现高精度的核心原理

    2025-10-23 微纳3D打印机能在微米甚至纳米尺度实现复杂结构的精准制造,其高精度突破传统制造技术的极限,核心在于“光-材料-控制”的协同优化。一、核心原理:微纳3D打印的本质是通过高能量密度束流(如激光、电子束)或微滴喷射,在特定区域选择性固化/熔融材料,逐层堆积形成三维结构。以双光子聚合(TPP)技术为例,其利用飞秒激光(波长780-800nm,脉冲宽度GW/cm²),使光敏树脂(含光引发剂)在焦点处发生双光子吸收(传统单光子吸收仅在激光路径线性吸收,而双光子吸收需两个光子同时作用于同一...
  • 核心技术揭秘:离子溅射仪的工作原理与独特设计特点剖析

    2025-10-18 离子溅射仪是制备高纯度、高结合力金属/化合物薄膜的核心设备,其通过离子轰击靶材实现原子级沉积,广泛应用于半导体芯片、光学器件及纳米材料领域。理解其工作原理与设计特点,是优化薄膜性能的关键。一、工作原理:离子溅射的核心是“动量转移”。设备通过气体放电(通常为氩气,纯度99.999%)产生等离子体(含大量Ar⁺离子),在高压电场(通常-300V至-1000V)作用下,Ar⁺离子加速轰击靶材(如金属钛、氧化物陶瓷)表面。离子与靶材原子发生弹性碰撞,将动能传递给靶材原子(单个Ar⁺离...
  • 压电陶瓷高压极化仪主要用于对压电陶瓷材料进行极化处理

    2025-09-26 压电陶瓷高压极化仪通过施加直流电场使其内部电畴沿电场方向排列,从而赋予材料压电性能。压电陶瓷在极化前,各晶粒内的自发极化方向随机分布,导致材料整体无压电效应。极化仪通过施加高电压并控制温度、时间参数,迫使电畴沿电场方向定向排列,形成单畴结构,使材料获得宏观的压电性能。该设备广泛应用于超声换能器、水声/电声设备、医学成像、传感器等需要压电材料的领域。‌压电陶瓷本身不具备压电性能,需通过人工极化处理实现电畴定向排列。其核心机理是:在陶瓷样品两端施加足够强度的直流电场(通常3-5k...
  • 课题组的宠儿--科研专用台式原子层沉积系统(台式ALD)

    2025-08-18 一台来自哈佛大学的原子层沉积系统一台科研用的原子层沉积系统一台备受课题组欢迎的ALD市面上小而美的ALD您值得拥有!!盈思拓(Insontech)----AnricTechnologies公司中国区总代表处AnricTechnologies成立于2014年,由哈佛大学ALD工艺著名专家RoyGordon教授组的研究人员创立,旨在填补市场小型台式原子层沉积(ALD设备)的空白,是为大学、初创企业、探索原子层沉积(ALD)技术的公司、启动试点生产线以及专业制造商提供设计和优化的工...
  • 气相输运与沉积系统的维护保养:腔体清洁与部件更换

    2025-07-21 气相输运与沉积系统的稳定运行高度依赖腔体洁净度和部件性能,科学的维护保养可使薄膜沉积均匀性提升15%,设备故障间隔延长至1000小时以上。腔体清洁与部件更换需遵循“预防为主、分级维护”原则,针对不同污染类型和部件损耗特性制定精准方案。​腔体清洁需按污染程度分级处理。轻度污染(沉积薄膜厚度20μm)需使用超声清洗:将可拆部件放入盛有5%氢氟酸溶液的超声槽(频率40kHz),清洗15分钟后用去离子水冲洗至pH=7,烘干后装配(避免裸手接触,需戴洁净手套)。​关键部件的更换需把握寿...
  • 膜厚测试千里眼,选区观测1µm - 市面上的高分辨率显微成像椭偏技术

    2025-07-17 产品技术简介有别于传统椭偏仪,这是新一代的显微成像椭偏仪技术,它有机地结合了传统光谱椭偏仪和光学显微镜技术,使得我们能够在小至1µm的微结构上以椭偏仪的灵敏度表征薄膜厚度和折射率。显微镜部分能够同时测量光学系统全视场范围内的所有结构。传统的椭偏仪注重于测量整个光斑,而不能实现高精度的横向分辨率,并且需要逐点测量。该设备的显微镜功能使得我们能够获得微观结构的椭偏增强对比图像,在相机的实时图像中可以看到折射率或厚度的微小变化。允许识别椭偏测量的感兴趣区域(选区测量),...
  • 多功能高低温真空探针台简介

    2025-07-01 多功能高低温真空探针台,结构紧凑,体积小,探针移动不受真空内外压差影响,电-光-气接口齐全,应用场景不受限。可实现宽温度范围、高真空或气氛控制;同时,高精度线性升降温程序控制,确保冷热循环测试方便可靠。本探针台与各种阻抗分析仪、LCR表、铁电测试仪、光伏测试仪、半导体参数测试仪、源表等联用,特别适合介电、铁电、压电、半导体、光伏、气敏等功能材料与器件的温度和气氛依赖性测量。多功能高低温真空探针台INS-VP-01(配置10kV高压探针)多功能高低温真空探针台INS-VP-02...
  • 台式等离子体增强原子层沉积技术

    2025-06-24 等离子体增强原子层沉积(ALD)是一种用于纳米技术和半导体制造的薄膜沉积技术。等离子ALD是标准ALD技术的一种变体,它利用等离子体来增强沉积过程。等离子体增强原子层沉积(ALD)让您在材料选择以及使用等离子工艺在沉积前预处理(或清洁)表面方面拥有更大的自由度。了解等离子体增强原子层沉积(ALD)如何助您更轻松地实现目标。01什么是等离子增强原子层沉积ALD?与传统的热驱动ALD方法相比,使用等离子体物质作为反应物可以在处理条件上提供更大的自由度,并且可以适应更广泛的材料特性...
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