台式原子层沉积助力Lam Research--实现区域选择性原子层沉积(AS-ALD)
2026-04-21 随着先进半导体技术的发展对自对准和“自下而上”精准制造的需求愈发迫切,区域选择性原子层沉积(AS-ALD)技术凭借独特优势,受到广泛关注。2025年6月25日,在济州岛的国际ALD/ALE会议上,LamResearch的工程师Rachel.NyedeCastro做了区域选择性沉积(ASD)的报告。报告主要围绕在金属基体上选择性沉积电解质图案,实现从试点生产(小的测试片)到规模化的晶圆沉积。RachelNye的报告中显示,Lam公司试点生产线的前期启动实验采用了AnricTec...