台式原子层沉积助力Lam Research--实现区域选择性原子层沉积（AS-ALD）

随着先进半导体技术的发展对自对准和“自下而上"精准制造的需求愈发迫切,区域选择性原子层沉积 (AS-ALD)技术凭借独特优势，受到广泛关注。

2025年6月25日,在济州岛的国际ALD/ALE会议上，Lam Research 的工程师Rachel.NyedeCastro 做了区域选择性沉积（ASD）的报告。报告主要围绕在金属基体上选择性沉积电解质图案，实现从试点生产（小的测试片）到规模化的晶圆沉积。

Rachel Nye 的报告中显示，Lam公司试点生产线的前期启动实验采用了Anric Technologies 的ALD设备。特别值得一提的是，截至目前，Lam 公司已采购8套同类设备用于试点生产线建设，从而被誉为AnricTechnologies 的“铁杆粉丝客户"。

以下是该报告的内容介绍：

报告人：Rachel Nye

Rachel Nye，导师：Gregory Parsons，于2022年博士毕业于NC State University，后加入Lam Research 公司。她的研究主要集中在分子层沉积和区域选择性沉积，现在西海岸地区从事区域选择性沉积方面的工作。