TALD通过交替引入两种或多种前驱体气体，在基底表面发生自限性化学反应，逐层沉积薄膜。每个完整的沉积循环包含四个步骤：
通入第一种前驱体气体：使其与基底表面发生化学吸附，形成单层吸附。
惰性气体吹扫：去除多余的前驱体和副产物，避免气相反应。
通入第二种前驱体气体：与已吸附的第一种前驱体反应，生成单原子层薄膜。
再次惰性气体吹扫：去除未反应的前驱体和副产物，准备下一个循环。
热原子层沉积通过交替引入两种前驱体气体(如三甲基铝和水蒸气)，在基底表面发生化学吸附和表面反应，形成单原子层。每次反应后需用惰性气体(如氮气)清洗未反应的前驱体，确保沉积过程自限性，避免过度反应。
反应室清洁与污染防控
每次使用后需立即清理反应腔室，用无尘布和专用清洁剂擦拭内壁，重点清洁喷嘴、衬底台等易积垢部位，避免前驱体残留或颗粒物沉积影响薄膜性能 。
长期停用时，需排空管路并用惰性气体吹扫，防止残留物腐蚀管道 。
维护重点
前驱体管理：前驱体易水解 / 氧化，需密封储存，定期更换(避免纯度下降)；
反应腔清洁：沉积后残留前驱体易形成沉积物，需定期用等离子体(如 O₂等离子体)或化学清洗液清理；
管路检漏：确保气体管路无泄漏，避免前驱体混合反应导致堵塞；
真空系统维护：定期更换真空泵油、清洁真空规，保证真空度稳定。
更新时间：2025-11-26
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电镜样品制备
