技术文章
Technical articlesAnric Technologies成立于2014年,由哈佛大学ALD工艺著名专家Roy Gordon教授组的研究人员创立,旨在填补市场小型台式原子层沉积(ALD设备)的空白,是为大学、初创企业、探索原子层沉积(ALD)技术的公司、启动试点生产线以及专业制造商提供设计和优化的工具。
公司专注于ALD工艺和设备的研究,其核心技术成员都来自哈佛大学,他们在ALD工艺上积累了丰富的经验,可以为客户提供复杂的工艺定制化解决方案,是小样品和低预算用户的选项。
原子层沉积(ALD)简介
原子层沉积是一种特殊的化学气相沉积技术,是通过将气相前驱体交替地通入反应室并在沉积基体表面发生气 -固化学反应形成薄膜的一种方法。ALD 通常是A、B 的半反应序列组成,具有表面自限性的特点,有着优异的三维共形性、大面积的均匀性、亚单层的膜厚控制和低的生长温度等。
原子层沉积原理
ALD 生长原理是通过反应前驱体交替沉积,在基材表面逐层沉积薄膜。
一个原子层沉积周期可分为四个步骤:
1.通入第一种前驱体:将第一种前驱体脉冲进入反应室,使其与基体表面发生化学吸附反应;
2.惰性气体清洗:使用惰性气体(如氮气或气)对反应室进行清洗,去除未反应的第一种前驱体和反应产生的副产物;
3.通入第二种前驱体:将第二种前驱体脉冲进入反应室,使其与吸附在基体表面的第一种前驱体发生化学反应生成薄膜;
4.再次惰性气体清洗:再次用惰性气体清除未反应的第二种前驱体及副产物。
ALD与其他薄膜沉积工艺对比
ALD的应用
产品核心优势
√ 可提供该领域专家的工艺支持
√ 体积小且紧凑(占用空间少)
√ 低容量腔室意味着快速沉积和减少前驱体废物以及深入渗透到三维结构中
√ 快速预热(和冷却)
√ 前驱体与腔室之间的距离短(减少管道堵塞的可能性)
AT 200M热原子层沉积
市面上体积最小的ALD
小到可以放到手套箱的ALD
可做粉末的ALD
AT 200M Plus等离子体增强+热原子层沉积
AT410/610/810热型
AT650P/850P(等离子体增强) AT650T/850T(热型)
AT-LT热原子层沉积系统
全球100多家客户重复购买 | ||
序号 | 客户 | 应用领域 |
1 | Lam Research(6台) | |
2 | 哈佛大学 | |
3 | 赫尔辛基大学 | 客户 Mikko Ritala and Matti Putkonen |
4 | 早稻田大学(多台) | 传感器、表面改性、纳米压印光刻、先进通孔制造(AlST) |
5 | 国立材料科学研究所(NIMS)#1 | 表面和薄膜中的声子、原子尺度低维等离激元学、纳米材料中的自旋轨道分裂 |
6 | 国立材料科学研究所(NIMS)#2 | 碳纳米管中的自旋相关输运、纳米间隙制造和分子输运、石墨烯中的带隙工程、有机晶体管 |
7 | 东京大学 | ALD工艺 |
8 | 东京大学 | Dr Onaya |
9 | 牛津大学(2台以上) | 客户 Sebastian Bonilla |
10 | Precision TEM Santa Clara, CA | 样品制备:HfO₂,AlO₃ |
11 | 西北大学(美国) | |
12 | 剑桥大学(英国) | |
13 | 北京量子信息科学研究院 | |
14 | ENS-Paris(法国、高等师范学院) | |
15 | 莱斯大学 | |
16 | 英属哥伦比亚大学(加拿大) | |
17 | 应用材料公司(AMAT-Applied Materials) | |
18 | 私人公司(Pivate Company) (美国俄勒冈州波特兰)2台 | TEM样品制备:HfO₂,AI₂O₃,Ta₂O |